Машинная модель для частотнозависимой импедансной матрицы межсоединений высокоинтегрированных ИС на кремниевых подложках
Представлена аналитическая модель, используемая для расчета частотнозависимой распределенной собственной и взаимной индуктивности и связанного распределенного последовательного сопротивления межсоединений высокоинтегрированных ИС на кремниевых полупроводниковых подложках. Метод основан на распределении плотности наведенного тока в кремниевой подложке. Справедливость модели подтверждена сравнением с данными, полученными квази-ТЕМ спектральным методом и методикой моделирования эквивалентной схемы. Утверждается необходимость учета эффекта кремниевой подложки для точного прогнозирования ВЧ-характеристик межсоединений. Приведены результаты измерения собственного и взаимного сопротивление и индуктивности межсоединений в диапазоне 1-10 ГГц.
Ключевые слова: планарные устройства

